SiC晶圆激光快速退火系统 - 激光快速退火设备 - 成都莱普科技有限公司

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产品及应用

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SiC晶圆激光快速退火系统

产品介绍

采用激光对重掺杂 SiC 表面沉积一种或几种过渡金属进行合金化，精确控制激光能量和分布，形成良好的欧姆接触。采用激光方式可忽略衬底正面结构的影响，更好的与减薄工艺兼容，简化工艺流程，提高器件性能。

产品特点应用产品类型技术指标应用案例

产品特点

· 支持薄片退火 · 优秀的退火表面形貌和电学特征
· 10^-5Ωcm2量级的比接触电阻率
· 高效率、低成本控制
· I F 值提高 30% 以上 · 完整的全程监控反馈功能

应用产品类型

技术指标

项目	LA2540S	LA2550S
晶圆尺寸	4/6 Inch 兼容
典型扫描时间	180 sec/p @4 inch	90 sec/p @4 inch
激光能量密度	≥ 5J/cm2
激光输出稳定性	≤ 2%，RMS，4hrs
比电阻接触率	≤ 10 ^-5Ωcm2
自动传片系统	双 LoadPort、多关节机器手、预准直器

应用案例

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产品与应用: 半导体晶圆制造; 半导体封装测试; 电子精密制造

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